| 型号：IPD90N06S4L-05 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 90A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.6 毫欧 @ 90A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.2V @ 60µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 110nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 8180pF @ 25V |
| 功率_最大 | 107W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
| 深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
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